Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 7.4784 EUR
Availability: InStock

IGBT 600 V 50 A 230 W Furo passante TO-3P(N)

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GT50JR22(STA1,E,S)
Número de produto da DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	GT50JR22(STA1,E,S)
Descrição	IGBT 600V 50A TO-3P
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	IGBT 600 V 50 A 230 W Furo passante TO-3P(N)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs IGBTs individuais	Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,2V a 15V, 50A
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Potência - Máx. 230 W
Embalagem Tubo	Tipo de entrada Padrão
Part Status Ativo	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 600 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 50 A	Pacote / Invólucro TO-3P-3, SC-65-3
Corrente - Pulsada do coletor (Icm) 100 A	Invólucro do dispositivo fornecido TO-3P(N)

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Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IXXH30N60B3D1	IXYS	510	IXXH30N60B3D1-ND	7,17000 €	Similar
IXXH30N60C3D1	IXYS	546	IXXH30N60C3D1-ND	7,19000 €	Similar

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	6,08000 €	6,08 €
25	3,56840 €	89,21 €
100	2,97060 €	297,06 €
500	2,49250 €	1 246,25 €
1 000	2,33908 €	2 339,08 €
2 000	2,32129 €	4 642,58 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.