Name: HN4C51J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4C51J(TE85LF)TR-ND
Price: 0.6519 EUR
Availability: InStock

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HN4C51J(TE85L,F)
Número de produto da DigiKey	HN4C51J(TE85LF)TR-ND - Fita e carretel (TR) HN4C51J(TE85LF)CT-ND - Fita cortada (CT) HN4C51J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	HN4C51J(TE85L,F)
Descrição	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata de transistor bipolar (BJT) 2 NPN (duplo) base comum 120V 100mA 100MHz 300mW Montagem em superfície SMV
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	HN4C51J(TE85L,F) Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares	Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce 200 a 2mA, 6V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Potência - Máx. 300mW
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Frequência - Transição 100MHz
Part Status Ativo	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de transistor 2 NPN (duplo) base comum	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 100mA	Pacote / Invólucro SC-74A, SOT-753
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 120V	Invólucro do dispositivo fornecido SMV
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic 300mV a 1mA, 10mA	Número base de produto HN4C51
Corrente - Corte do coletor (máx.) 100nA (ICBO)

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