MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Transístores bipolares de RF

MT3S111(TE85L,F)
Número de produto da DigiKey	MT3S111(TE85LF)TR-ND - Fita e carretel (TR) MT3S111(TE85LF)CT-ND - Fita cortada (CT) MT3S111(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	MT3S111(TE85L,F)
Descrição	RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transistor RF NPN 6V 100mA 11,5GHz 700mW Montagem em superfície S-Mini
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transístores bipolares de RF
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de transistor	NPN
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	6V
Frequência - Transição	11,5GHz
Figura de ruído (dB típica a f)	1,2dB a 1GHz
Ganho	12dB
Potência - Máx.	700mW
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	200 a 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	100mA
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Invólucro do dispositivo fornecido	S-Mini
Número base de produto	MT3S111

Preço unitário sem VAT:	0,48000 €
Preço unitário com VAT:	0,59040 €

MT3S111(TE85L,F)