MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Produtos semicondutores discretos

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MT3S111TU,LF
Número de produto da DigiKey	MT3S111TULFTR-ND - Fita e carretel (TR) MT3S111TULFCT-ND - Fita cortada (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	MT3S111TU,LF
Descrição	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transistor RF NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Montagem em superfície UFM
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transístores bipolares de RF
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de transistor	NPN
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	6V
Frequência - Transição	10GHz
Figura de ruído (dB típica a f)	0,6dB a 0,85dB a 500MHz a 1GHz
Ganho	12,5dB
Potência - Máx.	800mW
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	200 a 30mA, 5V
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	100mA
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	3-SMD, condutores planos
Invólucro do dispositivo fornecido	UFM
Número base de produto	MT3S111

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Quantidade

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Fita e carretel (TR)