Name: RN1901FETE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1901FETE85LFTR-ND
Price: 0.3198 EUR
Availability: OutOfStock

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RN1901FETE85LF
Número de produto da DigiKey	RN1901FETE85LFTR-ND - Fita e carretel (TR) RN1901FETE85LFCT-ND - Fita cortada (CT) RN1901FETE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	RN1901FETE85LF
Descrição	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Tempo de espera previsto do fabricante	40 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) 2 NPN - Pré-polarizado (duplo) 50V 100mA 250MHz 100mW Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de transistor	2 NPN - Pré-polarizado (duplo)
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	100mA
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	50V
Resistor - Base (R1)	4,7kOhm
Resistor - Emissor Base (R2)	4,7kOhm
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	30 a 10mA, 5V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)	100nA (ICBO)
Frequência - Transição	250MHz
Potência - Máx.	100mW
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	SOT-563, SOT-666
Invólucro do dispositivo fornecido	ES6
Número base de produto	RN1901

Preço unitário sem VAT:	0,26000 €
Preço unitário com VAT:	0,31980 €

RN1901FETE85LF