Name: RN4987FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN4987FELF(CTTR-ND
Price: 0.246 EUR
Availability: InStock

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RN4987FE,LF(CT
Número de produto da DigiKey	RN4987FELF(CTTR-ND - Fita e carretel (TR) RN4987FELF(CTCT-ND - Fita cortada (CT) RN4987FELF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	RN4987FE,LF(CT
Descrição	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) 1 NPN, 1PNP - Pré-polarizado (duplo) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RN4987FE,LF(CT Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Matrizes de transistores bipolares, pré-polarizados
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de transistor	1 NPN, 1PNP - Pré-polarizado (duplo)
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	100mA
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	50V
Resistor - Base (R1)	10kOhm
Resistor - Emissor Base (R2)	47kOhm
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	80 a 10mA, 5V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic	300mV a 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)	500nA
Frequência - Transição	250MHz, 200MHz
Potência - Máx.	100mW
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	SOT-563, SOT-666
Invólucro do dispositivo fornecido	ES6
Número base de produto	RN4987

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