Name: SSM3J15FU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FULFTR-ND
Price: 0.2214 EUR
Availability: InStock

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SSM3J15FU,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3J15FULFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J15FULFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J15FULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J15FU,LF
Descrição	MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Montagem em superfície USM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J15FU,LF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	12Ohm a 10mA, 4V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,7V a 100µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9.1 pF @ 3 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	150mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	USM
Pacote / Invólucro	SC-70, SOT-323
Número base de produto	SSM3J15

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