Name: SSM3J325F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J325FLFTR-ND
Price: 0.3567 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM3J325F,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3J325FLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J325FLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J325FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J325F,LF
Descrição	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Montagem em superfície S-Mini
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J325F,LF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	150mOhm a 1A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	-
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	270 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	600mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	S-Mini
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	SSM3J325

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