Name: SSM3J351R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J351RLFTR-ND
Price: 0.6273 EUR
Availability: InStock

SSM3J351R,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3J351RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J351RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J351RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J351R,LF
Descrição	MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 3,5A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície SOT-23F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J351R,LF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	134mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	660 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23F
Pacote / Invólucro	SOT-23-3, condutores planos
Número base de produto	SSM3J351

Preço unitário sem VAT:	0,51000 €
Preço unitário com VAT:	0,62730 €

SSM3J351R,LF