Name: SSM3J356R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J356RLFTR-ND
Price: 0.4674 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SSM3J356R,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3J356RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J356RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J356RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J356R,LF
Descrição	MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-23F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J356R,LF Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 8.3 nC @ 10 V
Séries U-MOSVI	Vgs (máx.) +10V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 330 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23F
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A (Ta)	Pacote / Invólucro SOT-23-3, condutores planos
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Número base de produto SSM3J356
Rds on (máx.) para Id, Vgs 300mOhm a 1A, 10V

Relatar erro de informações do produto

Documentos e mídia

Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Em estoque: 75 674

Verifique se há estoque adicional de entrada

Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)