Name: SSM3J358R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J358RLFTR-ND
Price: 0.5289 EUR
Availability: InStock

SSM3J358R,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3J358RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3J358RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3J358RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3J358R,LF
Descrição	MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-23F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3J358R,LF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVII
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 8V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	22,1mOhm a 6A, 8V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	38.5 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1331 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23F
Pacote / Invólucro	SOT-23-3, condutores planos
Número base de produto	SSM3J358

Preço unitário sem VAT:	0,43000 €
Preço unitário com VAT:	0,52890 €

SSM3J358R,LF