Name: SSM3K341R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K341R,LXHFTR-ND
Price: 1.0332 EUR
Availability: OutOfStock

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SSM3K341R,LXHF
Número de produto da DigiKey	264-SSM3K341R,LXHFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM3K341R,LXHFCT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3K341R,LXHF
Descrição	AECQ MOSFET NCH 60V 6A SOT23F
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 6A (Ta) 1,2W (Ta) Montagem em superfície SOT-23F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3K341R,LXHF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	36mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	550 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,2W (Ta)
Temperatura de operação	175°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23F
Pacote / Invólucro	SOT-23-3, condutores planos