Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 0.5904 EUR
Availability: InStock

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SSM3K357R,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3K357R,LF
Descrição	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície SOT-23F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3K357R,LF Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 1.5 nC @ 5 V
Séries π-MOSV	Vgs (máx.) ±12V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 60 pF @ 12 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido SOT-23F
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 650mA (Ta)	Pacote / Invólucro SOT-23-3, condutores planos
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V	Número base de produto SSM3K357
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,8Ohm a 150mA, 5V

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