Name: SSM3K62TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K62TULFTR-ND
Price: 0.5781 EUR
Availability: InStock

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SSM3K62TU,LF
Número de produto da DigiKey	SSM3K62TULFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM3K62TULFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM3K62TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM3K62TU,LF
Descrição	MOSFET N-CH 20V 800MA UFM
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície UFM
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM3K62TU,LF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	800mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	57mOhm a 800mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	177 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	UFM
Pacote / Invólucro	3-SMD, condutores planos
Número base de produto	SSM3K62

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