Name: SSM6J808R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J808RLXHFTR-ND
Price: 1.2423 EUR
Availability: InStock

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SSM6J808R,LXHF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6J808RLXHFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6J808RLXHFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6J808RLXHFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6J808R,LXHF
Descrição	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOGIC-LEV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 7A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6J808R,LXHF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	35mOhm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1020 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,5W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP-F
Pacote / Invólucro	Módulo 6-SMD, condutores planos
Número base de produto	SSM6J808