Name: SSM6J825R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J825RLFTR-ND
Price: 0.6027 EUR
Availability: InStock

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SSM6J825R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6J825RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6J825RLFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6J825RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6J825R,LF
Descrição	P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	45mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	492 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,5W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP-F
Pacote / Invólucro	Módulo 6-SMD, condutores planos
Número base de produto	SSM6J825

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