SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Produtos semicondutores discretos

SSM6K211FE,LF está obsoleto e não é mais fabricado.

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Toshiba Semiconductor and Storage

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SSM6K211FE,LF
Número de produto da DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K211FE,LF
Descrição	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6K211FE,LF Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIII
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	47mOhm a 2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	510 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	ES6
Pacote / Invólucro	SOT-563, SOT-666
Número base de produto	SSM6K211