Name: SSM6K361NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K361NULFTR-ND
Price: 0.7872 EUR
Availability: InStock

SSM6K361NU,LF
Número de produto da DigiKey	SSM6K361NULFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6K361NULFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6K361NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K361NU,LF
Descrição	MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 3,5A (Ta) 1,25W (Ta) Montagem em superfície 6-UDFNB (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6K361NU,LF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	69mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	430 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,25W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-UDFNB (2x2)
Pacote / Invólucro	6-WDFN pad exposto
Número base de produto	SSM6K361

Preço unitário sem VAT:	0,64000 €
Preço unitário com VAT:	0,78720 €

SSM6K361NU,LF