Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 0.8241 EUR
Availability: OutOfStock

SSM6K514NU,LF
Número de produto da DigiKey	SSM6K514NULFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6K514NULFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K514NU,LF
Descrição	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 12A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 6-UDFNB (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6K514NU,LF Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,6mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 100µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1110 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-UDFNB (2x2)
Pacote / Invólucro	6-WDFN pad exposto
Número base de produto	SSM6K514

Preço unitário sem VAT:	0,67000 €
Preço unitário com VAT:	0,82410 €

SSM6K514NU,LF