Name: SSM6K809R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K809R,LFTR-ND
Price: 0.8733 EUR
Availability: InStock

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SSM6K809R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6K809R,LFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6K809R,LFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6K809R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K809R,LF
Descrição	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=60
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 6A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 100µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 9.3 nC @ 10 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 550 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP-F
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6A (Ta)	Pacote / Invólucro Módulo 6-SMD, condutores planos
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Número base de produto SSM6K809
Rds on (máx.) para Id, Vgs 36mOhm a 5A, 10V

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