Name: SSM6K810R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K810R,LFTR-ND
Price: 0.8733 EUR
Availability: InStock

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SSM6K810R,LF
Número de produto da DigiKey	264-SSM6K810R,LFTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-SSM6K810R,LFCT-ND - Fita cortada (CT) 264-SSM6K810R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6K810R,LF
Descrição	SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 3,5A (Ta) 1,5W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 100µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 430 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,5W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP-F
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,5A (Ta)	Pacote / Invólucro Módulo 6-SMD, condutores planos
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SSM6K810
Rds on (máx.) para Id, Vgs 69mOhm a 2A, 10V

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Fita e carretel (TR)

Embalagem padrão do fabricante

Preço unitário sem VAT:	0,71000 €
Preço unitário com VAT:	0,87330 €

SSM6K810R,LF