Name: SSM6N7002BFE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N7002BFELMTR-ND
Price: 0.2952 EUR
Availability: InStock

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SSM6N7002BFE,LM
Número de produto da DigiKey	SSM6N7002BFELMTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6N7002BFELMCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6N7002BFELMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6N7002BFE,LM
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 200mA 150mW Montagem em superfície ES6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6N7002BFE,LM Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,1Ohm a 500mA, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 3,1V a 250µA
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 17pF a 25V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 150mW
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro SOT-563, SOT-666
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V	Invólucro do dispositivo fornecido ES6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200mA	Número base de produto SSM6N7002

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