Name: SSM6N815R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N815RLFTR-ND
Price: 0.7872 EUR
Availability: InStock

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SSM6N815R,LF
Número de produto da DigiKey	SSM6N815RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	SSM6N815R,LF
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 2A (Ta) 1,8W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SSM6N815R,LF Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 103mOhm a 2A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 100µA
Séries U-MOSVIII-H	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3,1nC a 4,5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 290pF a 15V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 1,8W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico, acionamento de 4V	Pacote / Invólucro Módulo 6-SMD, condutores planos
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V	Invólucro do dispositivo fornecido 6-TSOP-F
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A (Ta)	Número base de produto SSM6N815

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Preço unitário com VAT:	0,78720 €

SSM6N815R,LF