
SSM6N815R,LF | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SSM6N815RLFTR-ND - Fita e carretel (TR) SSM6N815RLFCT-ND - Fita cortada (CT) SSM6N815RLFDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SSM6N815R,LF |
Descrição | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 100V 2A (Ta) 1,8W (Ta) Montagem em superfície 6-TSOP-F |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SSM6N815R,LF Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico, acionamento de 4V | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 2A (Ta) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 103mOhm a 2A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 100µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 3,1nC a 4,5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 290pF a 15V | |
Potência - Máx. | 1,8W (Ta) | |
Temperatura de operação | 150°C | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | Módulo 6-SMD, condutores planos | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 6-TSOP-F | |
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,60000 € | 0,60 € |
| 10 | 0,37300 € | 3,73 € |
| 100 | 0,23970 € | 23,97 € |
| 500 | 0,18206 € | 91,03 € |
| 1 000 | 0,16347 € | 163,47 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,13565 € | 406,95 € |
| 6 000 | 0,12410 € | 744,60 € |
| 9 000 | 0,11821 € | 1 063,89 € |
| 15 000 | 0,11160 € | 1 674,00 € |
| 21 000 | 0,10768 € | 2 261,28 € |
| 30 000 | 0,10472 € | 3 141,60 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,60000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,73800 € |











