Name: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 2.0664 EUR
Availability: InStock

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TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Número de produto da DigiKey	264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Descrição	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	6,3mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+10V, -20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6510 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	90W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK+
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	TJ60S04