Name: TK10A60W,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A60WS4X-ND
Price: 1.55369 EUR
Availability: OutOfStock

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TK10A60W,S4X
Número de produto da DigiKey	TK10A60WS4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK10A60W,S4X
Descrição	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 9,7A (Ta) 30W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK10A60W,S4X Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSIV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	380mOhm a 4,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,7V a 500µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	720 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W (Tc)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK10A60

Preço unitário sem VAT:	1,26316 €
Preço unitário com VAT:	1,55369 €

TK10A60W,S4X