Name: TK16G60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16G60WRVQTR-ND
Price: 6.0885 EUR
Availability: InStock

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TK16G60W,RVQ
Número de produto da DigiKey	TK16G60WRVQTR-ND - Fita e carretel (TR) TK16G60WRVQCT-ND - Fita cortada (CT) TK16G60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK16G60W,RVQ
Descrição	MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 15,8A (Ta) 130W (Tc) Montagem em superfície D2PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK16G60W,RVQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,7V a 790µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 38 nC @ 10 V
Séries DTMOSIV	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1350 pF @ 300 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 130W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido D2PAK
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15,8A (Ta)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TK16G60
Rds on (máx.) para Id, Vgs 190mOhm a 7,9A, 10V

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Substitutos (2)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
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