Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.2017 EUR
Availability: InStock

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TK3P80E,RQ
Número de produto da DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK3P80E,RQ
Descrição	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 300µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 12 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 500 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,9Ohm a 1,5A, 10V