Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.1033 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK3P80E,RQ
Número de produto da DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK3P80E,RQ
Descrição	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,9Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 300µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	500 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	80W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63