Name: TK55S10N1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK55S10N1LQTR-ND
Price: 4.0836 EUR
Availability: InStock

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TK55S10N1,LQ
Número de produto da DigiKey	TK55S10N1LQTR-ND - Fita e carretel (TR) TK55S10N1LQCT-ND - Fita cortada (CT) TK55S10N1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK55S10N1,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Montagem em superfície DPAK+
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK55S10N1,LQ Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 49 nC @ 10 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3280 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 157W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido DPAK+
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 55A (Ta)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TK55S10
Rds on (máx.) para Id, Vgs 6,5mOhm a 27,5A, 10V