Name: TK560A65Y,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK560A65YS4X-ND
Price: 2.7675 EUR
Availability: OutOfStock

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TK560A65Y,S4X
Número de produto da DigiKey	TK560A65YS4X-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK560A65Y,S4X
Descrição	MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 7A (Tc) 30W Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK560A65Y,S4X Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	DTMOSV
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	560mOhm a 3,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 240µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	380 pF @ 300 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	30W
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK560A65

Preço unitário sem VAT:	2,25000 €
Preço unitário com VAT:	2,76750 €

TK560A65Y,S4X