Name: TK5P53D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND
Price: 2.337 EUR
Availability: InStock

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TK5P53D(T6RSS-Q)
Número de produto da DigiKey	264-TK5P53D(T6RSS-Q)TR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)CT-ND - Fita cortada (CT) 264-TK5P53D(T6RSS-Q)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK5P53D(T6RSS-Q)
Descrição	MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 525 V 5A (Ta) 80W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK5P53D(T6RSS-Q) Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	525 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	540 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	80W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DPAK
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	TK5P53