Name: TK6A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6A65D(STA4QM)-ND
Price: 2.7675 EUR
Availability: InStock

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TK6A65D(STA4,Q,M)
Número de produto da DigiKey	TK6A65D(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TK6A65D(STA4,Q,M)
Descrição	MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 6A (Ta) 45W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TK6A65D(STA4,Q,M) Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	π-MOSVII
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,11Ohm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1050 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	45W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220SIS
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	TK6A65

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Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	2,25000 €	2,25 €
50	1,10440 €	55,22 €
100	0,99360 €	99,36 €
500	0,79956 €	399,78 €
1 000	0,73719 €	737,19 €
2 000	0,68476 €	1 369,52 €
5 000	0,67692 €	3 384,60 €

Embalagem padrão do fabricante

Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.