TO-220-3 Full Pack
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TK8A65D(STA4,Q,M)

Número de produto da DigiKey
TK8A65D(STA4QM)-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TK8A65D(STA4,Q,M)
Descrição
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Furo passante TO-220SIS
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
TK8A65D(STA4,Q,M) Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
π-MOSVII
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
840mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1350 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
45W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220SIS
Pacote / Invólucro
Pacote completo TO-220-3
Número base de produto
TK8A65
Perguntas e respostas sobre o produto

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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
12,62000 €2,62 €
501,30440 €65,22 €
1001,17710 €117,71 €
5000,95392 €476,96 €
1 0000,88219 €882,19 €
2 0000,83563 €1 671,26 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,62000 €
Preço unitário com VAT:3,22260 €