Name: TPC8132,LQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPC8132LQ(STR-ND
Price: 1.6728 EUR
Availability: InStock

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TPC8132,LQ(S
Número de produto da DigiKey	264-TPC8132LQ(STR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPC8132LQ(SCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPC8132LQ(SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPC8132,LQ(S
Descrição	MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 7A (Ta) 1W (Ta) Montagem em superfície 8-SOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPC8132,LQ(S Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVI
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 3,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1580 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	TPC8132