Name: TPH1R403NL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R403NLL1QTR-ND
Price: 2.337 EUR
Availability: InStock

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TPH1R403NL,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPH1R403NLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPH1R403NLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPH1R403NLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH1R403NL,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 60A (Ta) 1,6W (Ta), 64W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH1R403NL,L1Q Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,3V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 46 nC @ 10 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4400 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,6W (Ta), 64W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Ta)	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto TPH1R403
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,4mOhm a 30A, 10V

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Fita e carretel (TR)

Embalagem padrão do fabricante

Preço unitário sem VAT:	1,90000 €
Preço unitário com VAT:	2,33700 €

TPH1R403NL,L1Q