Name: TPH1R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1R712MDL1QTR-ND
Price: 2.2632 EUR
Availability: InStock

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TPH1R712MD,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPH1R712MDL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPH1R712MDL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPH1R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH1R712MD,L1Q
Descrição	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH1R712MD,L1Q Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,2V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 182 nC @ 5 V
Séries U-MOSVI	Vgs (máx.) ±12V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 10900 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 78W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Número base de produto TPH1R712
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,7mOhm a 30A, 4,5V