Name: TPH2R506PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R506PLL1QTR-ND
Price: 2.4354 EUR
Availability: InStock

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TPH2R506PL,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPH2R506PLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPH2R506PLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPH2R506PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH2R506PL,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH2R506PL,L1Q Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 500µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 60 nC @ 10 V
Séries U-MOSIX-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5435 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 132W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (5x5)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto TPH2R506
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,4mOhm a 30A, 4,5V