Name: TPH4R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R008QM,LQTR-ND
Price: 1.9926 EUR
Availability: InStock

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TPH4R008QM,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPH4R008QM,LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPH4R008QM,LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPH4R008QM,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH4R008QM,LQ
Descrição	POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPH4R008QM,LQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	86A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4mOhm a 43A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 600µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5300 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5,75)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8