Name: TPH4R50ANH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R50ANH1LQTR-ND
Price: 2.214 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TPH4R50ANH1,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPH4R50ANH1LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPH4R50ANH1LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPH4R50ANH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPH4R50ANH1,LQ
Descrição	MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 92A (Tc) 800mW (Ta) Montagem em superfície 8-SOP avançado (5x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	92A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,5mOhm a 46A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5200 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	800mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (5x5,75)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8