Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.2103 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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TPM1R908QM,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPM1R908QM,LQ
Descrição	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (4,9x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,9mOhm a 70A, 10V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 1,2mA
Séries U-MOSX-H	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 108 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 10500 pF @ 40 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-SOP avançado (4,9x5,75)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8