Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 3.9729 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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TPM7R10CQ5,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPM7R10CQ5,LQ
Descrição	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 13A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície 8-SOP avançado (4,9x5,75)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	150 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta), 120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7,1mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 1,2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6800 pF @ 75 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOP avançado (4,9x5,75)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8