Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 2.3616 EUR
Availability: InStock

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TPN1110ENH,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN1110ENH,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPN1110ENH,L1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,2A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	114mOhm a 3,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	600 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPN1110