Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 1.476 EUR
Availability: InStock

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TPN1600ANH,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN1600ANH,L1Q
Descrição	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPN1600ANH,L1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	17A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16mOhm a 8,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1600 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPN1600