Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 1.5621 EUR
Availability: InStock

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TPN1600ANH,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN1600ANH,L1Q
Descrição	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPN1600ANH,L1Q Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 200µA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 19 nC @ 10 V
Séries U-MOSVIII-H	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1600 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 17A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto TPN1600
Rds on (máx.) para Id, Vgs 16mOhm a 8,5A, 10V