Name: TPN19008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN19008QMLQTR-ND
Price: 1.3038 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TPN19008QM,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TPN19008QMLQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPN19008QMLQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN19008QM,LQ
Descrição	MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 34A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPN19008QM,LQ Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	19mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1400 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	630mW (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPN19008