Canal N 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
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TPN1R603PL,L1Q

Número de produto da DigiKey
TPN1R603PLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR)
TPN1R603PLL1QCT-ND - Fita cortada (CT)
TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TPN1R603PL,L1Q
Descrição
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
TPN1R603PL,L1Q Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSIX-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,6mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,1V a 300µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3900 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
TPN1R603
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Em estoque: 29 079
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
11,20000 €1,20 €
100,75800 €7,58 €
1000,50290 €50,29 €
5000,39314 €196,57 €
1 0000,35780 €357,80 €
2 0000,33708 €674,16 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
5 0000,28703 €1 435,15 €
10 0000,27539 €2 753,90 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,20000 €
Preço unitário com VAT:1,47600 €