Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

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TPN4R806PL,L1Q
Número de produto da DigiKey	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPN4R806PL,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPN4R806PL,L1Q Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	72A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,5mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 300µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2770 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	630mW (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	175°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPN4R806