Canal N 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
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TPN7R504PL,LQ

Número de produto da DigiKey
264-TPN7R504PLLQTR-ND - Fita e carretel (TR)
264-TPN7R504PLLQCT-ND - Fita cortada (CT)
264-TPN7R504PLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TPN7R504PL,LQ
Descrição
MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 40 V 38A (Tc) 610mW (Ta), 61W (Tc) Montagem em superfície 8-TSON avançado (3,1x3,1)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSIX-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
7,5mOhm a 19A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,4V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2040 pF @ 20 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
610mW (Ta), 61W (Tc)
Temperatura de operação
175°C
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-TSON avançado (3,1x3,1)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
TPN7R504
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Em estoque: 5 980
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
10,98000 €0,98 €
100,61300 €6,13 €
1000,40230 €40,23 €
5000,31178 €155,89 €
1 0000,28259 €282,59 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,23815 €714,45 €
6 0000,22005 €1 320,30 €
9 0000,21082 €1 897,38 €
15 0000,20654 €3 098,10 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:0,98000 €
Preço unitário com VAT:1,20540 €