Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 3.8991 EUR
Availability: InStock

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TPW5200FNH,L1Q
Número de produto da DigiKey	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPW5200FNH,L1Q
Descrição	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSVIII-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	250 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2200 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DSOP avançado
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8