Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 4.1943 EUR
Availability: InStock

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TPWR8004PL,L1Q
Número de produto da DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Fita cortada (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TPWR8004PL,L1Q
Descrição	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	TPWR8004PL,L1Q Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Séries	U-MOSIX-H
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	103 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9600 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DSOP avançado
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	TPWR8004

Preço unitário sem VAT:	3,41000 €
Preço unitário com VAT:	4,19430 €

TPWR8004PL,L1Q