8-PowerVDFN
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

TPWR8503NL,L1Q

Número de produto da DigiKey
TPWR8503NLL1QTR-ND - Fita e carretel (TR)
TPWR8503NLL1QCT-ND - Fita cortada (CT)
TPWR8503NLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante
TPWR8503NL,L1Q
Descrição
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montagem em superfície 8-DSOP avançado
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
TPWR8503NL,L1Q Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Séries
U-MOSVIII-H
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
0,85mOhm para 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
6900 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-DSOP avançado
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
TPWR8503
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Em estoque: 2 963
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
12,99000 €2,99 €
101,95200 €19,52 €
1001,36000 €136,00 €
5001,17744 €588,72 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
5 0000,96195 €4 809,75 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,99000 €
Preço unitário com VAT:3,67770 €