Name: TRS10V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS10V65H,LQTR-ND
Price: 5.3013 EUR
Availability: InStock

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TRS10V65H,LQ
Número de produto da DigiKey	264-TRS10V65H,LQTR-ND - Fita e carretel (TR) 264-TRS10V65H,LQCT-ND - Fita cortada (CT) 264-TRS10V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de produto do fabricante	TRS10V65H,LQ
Descrição	DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Diodo 650 V 10A Montagem em superfície 4-DFN-EP (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Diodos Retificadores Diodos individuais	Velocidade Tempo zero de recuperação > 500mA (Io)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Tempo de recuperação reversa (trr) 0 ns
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Corrente - Fuga reversa para Vr 100 µA @ 650 V
Part Status Ativo	Capacitância para Vr, F 649pF a 1V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão - Reversa CC (Vr) (máx.) 650 V	Pacote / Invólucro 4-VSFN pad exposto
Corrente - Média retificada (Io) 10A	Invólucro do dispositivo fornecido 4-DFN-EP (8x8)
Tensão - Direta (Vf) (máx.) para If 1.35 V @ 10 A	Temperatura de operação - Junção 175°C